SSD主控芯片
公司SSD主控芯片覆盖 PCIe Gen3 / Gen4 / Gen5 多代产品，支持 NVMe 1.4 与 NVMe 2.0 协议，面向消费级、工业级及高性能数据中心应用。产品支持 SLC / MLC / TLC / QLC 多种 NAND 类型，并提供 DRAM-LESS、HMB 及外置 DRAM 多种架构选择。
IG5216 系列
| 型号 | IG5216BAA（商业级）/ IG5216BAAI（工业级） IG5216BBA（商业级）/ IG5216BBA-1200（商业级）/ IG5216BBAI（工业级） |
|---|---|
| 接口标准 | PCIe Gen3 x4，完全支持 NVMe 1.4 协议 |
| 最大容量 | 2TB |
| NAND通道 | 4通道 |
| 支持NAND类型 | SLC / MLC / TLC / QLC |
| 顺序读写速度 | 读 3400MB/s，写 3000MB/s |
| DRAM | DRAM-LESS 架构，支持 HMB |
| 封装尺寸 | TFBGA / 256球 / 10mm×10mm（IG5216BAA / IG5216BAAI） TFBGA / 198球 / 7mm×11mm（IG5216BBA / IG5216BBA-1200 / IG5216BBAI） |
| 工作温度 | 商业级：0~70℃（IG5216BAA / IG5216BBA / IG5216BBA-1200） 工业级：-40~85℃（IG5216BAAI / IG5216BBAI） |
IG5220 系列
| 型号 | IG5220BAA（商业级）/ IG5220BAAI（工业级） IG5220BBA（商业级）/ IG5220BBAI（工业级） |
|---|---|
| 接口标准 | PCIe Gen4 x4，完全支持 NVMe 1.4 协议 |
| 最大容量 | 4TB |
| NAND通道 | 4通道×4CE（IG5220BAA / IG5220BAAI） 4通道×8CE（IG5220BBA / IG5220BBAI） |
| 支持NAND类型 | SLC / MLC / TLC / QLC |
| 顺序读写速度 | 读 5100MB/s，写 5000MB/s |
| DRAM | DRAM-LESS 架构，支持 HMB |
| 封装尺寸 | TFBGA / 216球 / 7.5mm×11mm×1.04mm（IG5220BAA / IG5220BAAI） TFBGA / 361球 / 12mm×12mm×1.04mm（IG5220BBA / IG5220BBAI） |
| 工作温度 | 商业级：0~70℃（IG5220BAA / IG5220BBA） 工业级：-40~85℃（IG5220BAAI / IG5220BBAI） |
IG5221 系列
| 型号 | IG5221BAA（商业级）/ IG5221BAAI（工业级） |
|---|---|
| 接口标准 | PCIe Gen4 x4，完全支持 NVMe 2.0 协议 |
| 最大容量 | 8TB |
| NAND通道 | 4通道×8CE |
| 支持NAND类型 | SLC / MLC / TLC / QLC |
| 顺序读写速度 | 读 5100MB/s，写 5000MB/s |
| DRAM | 支持高达 8GB 的 DDR SDRAM |
| 封装尺寸 | TFBGA / 361球 / 12mm×12mm×1.04mm |
| 工作温度 | 商业级：0~70℃（IG5221BAA） 工业级：-40~85℃（IG5221BAAI） |
IG5222 系列
| 型号 | IG5222CAA（商业级）/ 工业级 |
|---|---|
| 接口标准 | PCIe Gen5 x4，完全支持 NVMe 2.0 协议 |
| 最大容量 | 8TB |
| NAND通道 | 4通道×4CE |
| 支持NAND类型 | SLC / MLC / TLC / QLC |
| 顺序读写速度 | 读 7400MB/s，写 6800MB/s |
| DRAM | DRAM-LESS 架构，支持 HMB |
| 封装尺寸 | FCCSP / 187球 / 7.1mm×11mm×1.036mm |
| 工作温度 | 商业级：0~70℃ 工业级：-40~85℃ |
IG5236 / IG5636 系列
| 型号 | IG5236CAA（商业级）/ IG5236FAA（商业级）/ IG5636FAA（商业级） IG5236CAAI（工业级）/ IG5236FAAI（工业级）/ IG5636FAAI（工业级） |
|---|---|
| 接口标准 | PCIe Gen4 x4，完全支持 NVMe 1.4 协议 |
| 最大容量 | 8TB（IG5236）/ 16TB（IG5636） |
| NAND通道 | 8通道×8CE（IG5236FAA / IG5236FAAI / IG5636FAA / IG5636FAAI） 8通道×4CE（IG5636CAA / IG5636CAAI） |
| 支持NAND类型 | SLC / MLC / TLC / QLC |
| 顺序读写速度 | 读 7.4GB/s，写 6.4GB/s |
| DRAM | 支持 DDR3L / DDR4 / LPDDR3 / LPDDR4，容量高达 8GB（IG5236）/ 16GB（IG5636） |
| 封装尺寸 | FCBGA / 575球 / 15mm×15mm×1.316mm（IG5236FAA / IG5236FAAI / IG5636FAA / IG5636FAAI） FCCSP / 528球 / 14mm×14mm×1.16mm（IG5636CAA / IG5636CAAI） |
| 工作温度 | 商业级：0~70℃ 工业级：-40~85℃ |
YRS 系列
| 型号 | YRS903 / YRS902 / YRS901 / YRS900 / YRS820 |
|---|---|
| 接口标准 | PCIe Gen5 x4，完全支持 NVMe 2.0 协议 |
| 最大容量 | 32TB |
| NAND通道 | 18通道×8CE（YRS903 / YRS901） 16通道×8CE（YRS902 / YRS900） 8通道×8CE（YRS820） |
| 支持NAND类型 | SLC / MLC / TLC / QLC，以及高速低延迟的 XL-flash |
| 顺序读写速度 | 读 14.4GB/s，写 12GB/s |
| DRAM | 支持 DDR4 / LPDDR4，最高达 32GB |
| 封装尺寸 | HFCBGA / 899球 / 21mm×21mm×2.576mm（YRS901 / YRS900） FCBGA / 899球 / 21mm×21mm×1.571mm（YRS903 / YRS902） FCBGA / 675球 / 16mm×16mm×1.415mm（YRS820） |
| 工作温度 | 商业级：0~70℃ |